Es war eine große Freude für unser IHT-Team, an der DRC 2026 auf dem Campus der University of Michigan teilzunehmen! Die Konferenz bot Wissenschaftlern aus Forschung, Industrie und Regierung eine hervorragende Gelegenheit, sich über die neuesten Fortschritte in der Forschung zu elektronischen Bauelementen auszutauschen. Zu den Höhepunkten der Konferenz zählten Kurzkurse, Plenarvorträge, Keynote-Präsentationen, Fokussitzungen und Auszeichnungen für studentische Beiträge. Nicht zuletzt bot sie großartige Gelegenheiten zum Networking mit Kollegen, Mentoren und Vertretern der Industrie!
IHT war gut vertreten: Wir hatten zwei Vorträge und zwei Posterpräsentationen:
Quynh Thi Phung – „Seed-Assisted Polarity Control of Flexible WSe2 Transistors and Demonstration of CMOS Inverters“
Meera Nandakumaran – „Ultraviolet Ozone Treated Indium Gallium Zinc Oxide for Flexible Memristor Applications“
Krishna Rudrapal – „Niederspannungs-Forming-freies, abruptes und graduelles resistives Schalten in oberflächenmodifizierten IGZO-Memristoren“
Sören Schäfer – „Alterung von nicht gekapselten Te-Transistoren an der Luft und Vergleich von Temperbedingungen“
Darüber hinaus organisierte Alwin Daus gemeinsam mit Henryk Turski die DRC-Rump-Session mit dem Titel „Everything Switches: Sorting Fact from Fiction in Future Devices“, die von lebhaften Diskussionen geprägt war und an der die hervorragenden Podiumsteilnehmer Thomas Mikolajick, Steve Koester, Debdeep Jena und Tomas Palacios teilnahmen.
Vielen Dank an Eilam Yalon (Leiter des technischen Programms) und alle anderen Ausschussmitglieder für die Zusammenstellung eines hervorragenden Programms! Ich freue mich schon auf die nächste DRC!
